【硬件资讯】国产HBM内存又有新进展最尖端内存领域即将出现中国厂商身影！最先突破的会是HBM2？

  新 闻①： 国内HBM开发取得进展，两家存储器制造商跟进，目标2026年生产HBM2

  近年来高带宽内存的需求急剧上升，随着人工智能（AI）热潮的到来，让这一趋势愈加明显。三星、SK海力士和美光是HBM市场的三大巨头，目前都在加速开发新产品，并积极地扩张产能。

  据Trendforce 报道 ，国内存储厂商武汉新芯（XMC）和长鑫存储（CXMT）正处于HBM制造的早期阶段，主要是为了应对未来人工智能（AI）和高性能计算（HPC）领域的应用需求。其中武汉新芯正在针对HBM建造月产能3000片晶圆的12英寸工厂，长鑫存储则与封装和测试厂通富微电合作开发了HBM样品，并向潜在的客户展示。

  HBM项目的研究和制造涉及复杂的工艺和技术挑战，包括晶圆级封装、测试技术、设计兼容性等。另外还涉及到硅通孔（TVS）、凸块、微凸块和RDL等工艺，其中硅通孔占据最高的封装成本比例，接近30%。目前AI芯片的主流解决方案是采用CoWoS封装，其中集成了逻辑芯片和HBM芯片。国内一些芯片厂商也有同样的需求，这也迫使其他晶圆代工厂，比如中芯国际开发更先进的封装技术，以实现用户的芯片生产需求。

  据了解，目前国内存储厂商的重点放在了HBM2。虽然美国没有限制HBM芯片的出口，但是HBM3芯片使用了美国的技术制造。

  前不久我们曾经报道过，国内存储厂商武汉新芯开始致力于HBM内存的开发了，国产内存目前涵盖了DDR3-DDR5，但HBM内存这一类内存品类顶端的产品确实没有一点涉猎，此举可能会成为突破这一领域屏障的第一步。而最新的消息指出，武汉新芯（XMC）和长鑫存储（CXMT）均已处于HBM制造的早期阶段，长鑫甚至已经交付了样品，这速度真的快啊！据悉，目前国内两厂商的目标都是突破HBM2，距离最先进的HBM3和HBM4还有差距，不了解什么时候能实现。

  新 闻 ②： 台积电准备HBM4基础裸片，将采用N5和N12FFC+工艺制造

  上个月，SK海力士 宣布 与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4。据 了解 ，台积电将生产用于HBM4的基础裸片（Base Die），这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。

  据AnandTech 报道 ，台积电在近日举办的2024欧洲技术研讨会上表示，将采用N5和N12FFC+工艺制造基础裸片，为HBM4提供前所未有的性能和能源效率。台积电称，正在与主要的HBM内存合作伙伴联手，在先进制程上实现HBM4的全堆栈集成，其中N12FFC+工艺可以在满足性能要求下具备成本优势，N5工艺则可以在更低功耗下达到HBM4预期的速度。

  N5是目前最先进的制程工艺之一，用来制造最好的CPU和GPU，现在用到存储器上属于一件大事，比起之前传言中采用的N7工艺更为先进。利用N5工艺，可以将更多的逻辑和功能封装到HBM4的基础裸片里，并实现非常精细的互连间距，这对于逻辑芯片上的直接键合至关重要，来提升人工智能（AI）和高性能（HPC）所需的内存性能。N12FFC+工艺源自台积电非常成熟的16nm FinFET技术，制造的HBM4基础裸片可用于构建12层及16层堆栈，分别提供48GB和64GB的容量，比起N5工艺更具性价比。

  此外，台积电还在优化CoWoS-L和CoWoS-R封装技术，以支持HBM4集成。按照SK海力士和台积电的计划，HBM4预计在2026年投产。

  而现在，HBM内存领域进度最快的厂商——SK海力士，在HBM4领域的探索又有了巨大进步。值得一提的是，海力士与台积电在不久前刚刚签署了谅解协议，并建立了HBM4内存的合作协定，这么快就有成果了，最先进的内存厂商与最先进的封装、代工厂商合作确实效率非凡。据称，为越来越好的推进HBM4内存，台积电可能会使用N5制程工艺参与制造，这应该是内存产品上最先进的制程了，但想来成本也会因此提升不少，AI领域专业卡价格这方面估计……

  新 闻 ③ ： 三星和SK海力士将停产DDR3，或带动价格持续上涨最高20%

  过去两年多里，业界从DDR4内存向DDR5内存过渡，后者占据着慢慢的变大的市场占有率。此外， DDR3 内存的市场需求量也进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。特别是过去一年多存储器市场经历低迷，供应商普遍减少了DDR3内存的生产，并借此机会降低了库存水平。

  据相关媒体 报道 ，三星和SK海力士打算2024年下半年停产DDR3内存，以更好地应对HBM3和HBM3E日渐增长的市场需求。随着三星和SK海力士停产DDR3内存，很可能带动DDR3内存的价格持续上涨，预计涨幅最高可达20%。

  考虑到如今生产DDR3内存利润率，以及现阶段人工智能（AI）芯片市场的火热程度，将产能更多地分配到DDR5和HBM产品也就不足为奇了。HBM产品早已供不应求，最近传闻三星和SK海力士至2025年的HBM产能已经售罄，甚至还要扩充产能以进一步满足需求。更重要的是，HBM产品的利润率比起老旧的DDR3内存要高得多，有 报告 称HBM产品的价格大概比传统DRAM高出数倍（约为DDR5的五倍），而且还在不断上涨，预计明年HBM2E、HBM3和HBM3E的价格普遍上涨5%至10%。

  虽然存储器三巨头之一的美光并没有像三星和SK海力士那样停产DDR3内存，但是同样大幅度减少了供应量，原因自然是相同的。此外，像南亚科技这样规模比较小的制造商也已经将主力产能转向DDR4和DDR5内存，仅接受部分客户的DDR3内存订单，未来几个月DDR3内存价格持续上涨似乎已是不可避免。

  最尖端的产品在飙车，最古早的怎么也飙起来了？？可能已很久没有人听过DDR3的消息了，但就是这个“古早”的内存品类，其实最近才开始停产，究其原因则是因为长期服役的服务器及大型机可能还在使用。但这次的平产，或许会带动DDR3内存价格的上涨，虽然目前的市场需求量很低，但也并非无需求，对于前边提到的长期服役产品来说，失去了后续的内存支持或许会非常困扰。当然，对于更新周期极快，且有大量二手产品存世的民用市场，影响是不大的。